반도체 교육인프라 공급 가능 리스트*

*이 리스트에 없는 기관에서도 교육인프라 공급 가능

기관명		문의처
강남대학교(용인시)		반도체공학전공 김무진 교수 031-280-3809 / moojinkim7@kangnam.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
반도체 전공정 – 기판 제작, 박막 증착, 특성 분석	-박막 코팅용 기판 제작: 금속, 실리콘웨이퍼, 플렉서블 소재 -진공 증착: DC & RF Sputter (Cu, Mo, ITO) -습식 코팅: CNT, Graphene Oxide, SiOx, TiO2, ITO -박막 특성 분석: 분광광도계(반사도 및 투과도 측정), 휴대용조도계(표면 거칠기 측정), Probe station(전기적인 특성 측정), 접촉각 측정, 현미경(표면 형상 관찰), 4-point probe(금속 박막 표면 저항 측정), 광발광 분광계(반도체 박막 밴드갭 측정)		24시간	10명
커패시터(Capacitor) 제작 및 특성 분석	-커패시터(MIM, MOS) 구조 및 원리 이해 -주파수 기반 전압(Voltage)에 따른 커패시턴스 원리 이해 -용액 기반의 습식 코팅: Graphene Oxide, SiOx -PR Patterning 및 Metal (Cu) 증착 실습 -Probe-station: 커패시터 절연특성 실습 -주파수 기반 전압에 따른 커패시턴스 특성 측정 실습		24시간	10명
다이오드 소자 제작 및 측정	-Schottky 및 PN 다이오드, 광특성 원리 이해 -다이오드 소자 제작 및 전압에 따른 전류 특성 측정 -파장영역에 따른 소자의 광특성 측정 -다이오드 소자의 주요 파라미터 추출		16시간	10명

기관명		문의처
경기대학교(수원시)		전자공학부 나노반도체전공 주상현 교수 031-249-9625 / shju@kgu.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
반도체소자 공정·분석 (박막증착)	-DC Sputter (Al, Ti, Ni) -RF Sputter (SiO2, SiNx, ITO) -Ion Sputter Coater (Au, Ti) -ALD (Al2O3) -Thermal Evaporator (OLED 유기물, Al) -CVD (graphene, nanowire) -Screen printer (유기물, 금속 코팅) -Ultrasonic Spray System (유기물, 무기물)		협의	협의
반도체소자 공정·분석 (박막 특성 제어)	-Plasma system -Thermal Anneal -Xenon curing -UV Cleaner
반도체소자 공정·분석 (패터닝)	-Spin-coater (PR) -Aligner (패터닝) -Laser marker (패터닝) -Dry Etcher (식각) -Wet Etcher (식각) -3D printer (photomask) -Laser cutter (photomask)
반도체소자 공정·분석 (박막 분석)	-Ellipsometer -Transmittance -Alpha-step -Micro PL system -Raman spectroscopy -FT-IR spectrometer -Probe station -4-probe sheet resistor -Thermal conductivity analyzer -SEM -Contact angle analyzer -AFM -LCR meter (입고예정)
반도체소자 합성·분석 (유무기소재 합성)	-Quantum Dot 합성 툴 -Glove Box -Ball Mill -Paste mixer -Hot Plate & Magnetic Stirrers -Sonicator -Convection Dry Oven -Rotary Evaporator -Freeze dryer -Centrifuge
반도체소자 합성·분석 (유무기소재 분석)	-TGA-DSC -TMA -Micro PL system -Raman spectroscopy -FT-IR spectrometer -점도계 -LIV system -Rheometers (입고예정)

기관명		담당자
단국대학교(용인시)		차세대반도체사업단 이관용 연구원 031-8021-8414 / legacy3203@dankook.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
박막 증착 및 패터닝 공정 실습	- PR, SiO2 및 Al 박막 증착 공정 실습 (DC & RF Sputtering System, Spinner 등) - PR, SiO2 및 Al 박막 패터닝 공정 실습 (Mask Aligner, RIE System, Wet Station 등) 형성된 SiO2 및 Al 패턴 정확도 확인 (Mini-SEM, Optical Microscope) XR, VR System을 활용한 박막 증착 및 식각 공정 실습		18시간	12명
MOS Capacitor 제작 및 공정 조건에 따른 소자 평가 실습	- Photo, PVD, CVD 및 Oxidation 원리 및 공정 - PR, SiO2 및 Al 박막 증착 공정 실습 (DC & RF Sputtering System, Spinner 등) - PR, SiO2 및 Al 박막 패터닝 공정 실습 (Mask Aligner, RIE System, Wet Station 등) - SiO2 두께 및 SiO2, Al 박막의 Critical Dimension 측정 실습 (Surface Profiler, Mini-SEM, Optical Microscope 등) - 공정 조건에 따른 MOS Capacitor의 전기적 특성 측정 및 분석 실습 (Probe Station, Parameter Analyzer, LCR Meter)		30시간	12명

기관명		문의처
명지대학교 반도체공정진단연구소(용인시)		반도체공학과 하태민 교수 031-330-6975 / gertrude001@mju.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
반도체공정장비 이론 및 실습 (기초)	-반도체개론 : 교육 과정 안내 및 반도체 역사, 반도체 분야 이해, 공정/장비/재료/진단/설계 개론 -반도체공정및장비이론 : Energy environment, Etch, Cleaning & CMP, Growing & Deposition, FAB Safety -반도체공정및장비실습 : Cleaning (Wet station), Deposition (Sputter), Inspection (Microscope) -반도체공정및장비이론 : Photolithography, Ion implant & Others -반도체공정및장비실습 : Photolithography (Photo-room), Etch & PR strip (Wet station), Inspection (Microscope, a-step), Summary		24시간	15명
반도체플라즈마식각증착공정	-반도체공정기술이론 : 플라즈마 공정 필요성, 반도체칩 제조기술 이해, 반도체칩 제조기술 발전 방향 -플라즈마기초이론 : 진공 및 플라즈마 이해 -플라즈마공정이론 : 플라즈마 증착 및 식각 기술(배선공정) -플라즈마공정장비실습 : 장비 유틸리티 구성 이해 실습, 양산 장비 구성 이해 및 증착 실습, 양산 장비 구성 이해 및 식각 실습		16시간	15명
MOSCAP제작실습	-반도체개론 : 교육 과정 안내 및 반도체 역사, 반도체 분야 이해, 공정/장비/재료/진단/설계 개론 -MOSCAP 이론 : FET 개론, MOS Structure 이해 및 설계 -MOSCAP제작실습 : FAB Safety, Cleaning (Wet station), Inspection (Microscope), Deposition (PECVD), Inspection (Reflectrometer), Deposition (Sputter), Photolithography (Photo-room), Etch (Wet station), PR strip (Wet station), Structure confirm (MIS), Metrology (Probe station), Summary		24시간	15명
박막공정실습A	-반도체개론 : 교육 과정 안내 및 반도체 역사, 반도체 분야 이해, 공정/장비/재료/진단/설계 개론 -박막공정이론 : Deposition & Growing 개론 -박막공정실습 : FAB Safety, Cleaning (Wet station), Inspection (Microscope), Growing (Furnace) Start, Deposition (PECVD), Growing (Furnace) process, Deposition (SOD, Photo-room), Growing (Furnace) End, Metrology (Reflectormeter), Deposition (Sputter), Summary		24시간	15명
박막공정실습B	-반도체개론 : 교육 과정 안내 및 반도체 역사, 반도체 분야 이해, 공정/장비/재료/진단/설계 개론 -박막공정이론 : Deposition 개론 -박막공정실습 : FAB Safety, Cleaning (Wet station), Inspection (Microscope), Deposition (PECVD) Process, Deposition (ALD) Process, Metrology (Reflectormeter), Deposition (Sputter) Process, Summary		24시간	15명
반도체인프라환경기술	-반도체인프라개론 : 교육과정 안내, 반도체인프라 분야 이해, 주요 이슈 -Sustainability and ESG : 지속가능성과 ESG 이해, 지속가능성 공시 -Cleanroom Technology : 클린룸과 클래스, Particle 기초, Filter기술 이해, Cleanroom Disciplines, Operation -온실가스와 Net Zero 전략 : 기후변화 개요, 파리 협정 등 -반도체 배출가스처리기술 : 배출가스 처리기술 개요, POU Scrubber 현황/전망 -반도체수처리기술 : 수처리기술 현황, 기술개발 동향 -반도체인프라현장 견학/실습 : HVAC, Fab Monitoring, POU Scrubber동작/주요 부품 설명, 분해/조립 실습		16시간	15명
양산장비요소기술실습	-반도체공정기술이론 : 장비요소기술 중요성, 반도체칩 제조기술 이해, 반도체칩 제조기술 발전 방향 -장비요소기술이론 : 진공 및 플라즈마 기초, 장비 주요 구성부품 이해 -장비요소기술실습 : 장비 유틸리티 구성 이해 실습, 양산 증착 장비 구성 이해 및 증착실습, 양산 식각 장비 구성 이해 및 식각실습		16시간	15명
반도체공정장비 이론 및 실습 (중급)	-Device Physics : 교육 과정 안내 및 반도체 역사, 반도체 분야 이해, 소자 및 메모리 개론 -반도체공정및장비이론 : Etch, Photolithography, Basic Plasma, Diffusion & Implantation, Thin film(Deposition) & CMP, Cleaning & Equipment 1/2, Equipment 2/2 & Summary -반도체공정및장비실습 : Cleaning & Sputter with MI, Photolithography, Wet etch, & PR strip with MI		32시간	15명

기관명		문의처
수원대학교(화성시)		반도체공과 유민권 교수 031-220-2663 / mkyoo@suwon.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
박막 단위공정	-금속, 산화물, 질화물 성막 -분석 실습		8 or 16시간	협의
박막 소자공정/평가	-MOSFET -소자 제조 및 평가		18 or 24시간
후공정 기초	-패키징 기본공정 실습		8 or 16시간
장비 및 유틸리티	-반도체공정장비 -Fab 주요 유틸리티 구조 및 원리 실습		8 or 16시간
반도체 기본 공정	-반도체개론 이론 -반도체공정 이론 -산화공정 실습 -포토공정 실습 -식각공정 실습 -세정공정 실습		24시간
반도체 전체 공정	-반도체개론 이론 -반도체공정 이론 -산화공정 실습 -포토공정 실습 -식각공정 실습 -세정공정 실습 -증착공정 실습 -도핑공정 실습 -측정분석 실습		48시간

기관명		문의처
아주대학교(수원시)		지능형반도체공학과 허준석 교수 031-219-3717 / jsheo@ajou.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
설계 – 레이아웃 설계 (Standard Cell 설계 및 Layout)	-CMOS Inverter의 동작 원리 -Standard cell의 동작 원리 -Cadence Virtuoso의 사용법과 CMOS Inverter 회로도 작성 -CMOS Inverter 시뮬레이션 및 동작 검증 -CMOS Inverter의 layout -CMOS Inverter layout의 DRC 및 LVS 검증 -일반적인 Standard cell의 회로도 작성, 시뮬레이션 및 동작 검증 -일반적인 Standard cell의 layout -일반적인 Standard cell layout의 DRC 및 LVS 검증		16시간	20명
설계 – 아날로그 설계 (센서인터페이스 설계)	-센서 이론 -아날로그 프론트앤드 설계 이론 -SAR ADC 설계 이론 -Cadence Virtuoso의 사용법 및 기본 로직 회로 설계 -아날로그 프론트앤드 모델링 실습 -증폭기 설계 실습 -TIA 설계 실습 -PGA 및 Filter 설계 실습 -SAR ADC 설계 실습		21시간	20명
공정 – 전공정 기초	-Semiconductor Process Introduction & Cleanroom -Photolithography, Oxidation, Etching -Wafer Hangling 실습 -Cleaning & Oxidation Process 실습 -현미경 등 측정장비 실습 -PR Patterning 실습 -Wet & Dry etching 실습 -Metal evaporation 실습 -Patterning/Etching 측정 실습		16시간	15명
소자개발 – MOSCAP 제작 및 특성 분석	-MOS 구조 및 MOCAP 이해 -C-V 측정 강의 -Cleaning & Oxidation Process 실습 (또는 ALD high-k 증착) -PR Patterning 및 Metal evaporation 실습 -OTM, ellipsometry 등을 이용학 박막 측정 실습 -Probestation 및 Semiconductor Parameter Analyzer 실습 -C-V 특성 분석 실습		14시간	15명
소자개발 – 특성분석 (I-V, C-V, 광반응)	-PN 다이오드 동작 및 광전류 생성 -MOSCAP 구조 및 MOSFET 동작원리 -PN 다이오드 소자 측정 및 주요 파라미터 추출 실습 -포토다이오드 특성 평가 실습 -MOSCAP (C-V) 측정 및 EOT 추출 실습 -MOSFET (I-V) 측정 및 주요 소자 파라미터 (DIBL, SS, ION 등) 추출 실습		16시간	15명

기관명		문의처
한국폴리텍대학 반도체융합캠퍼스(안성시)		반도체전기시스템과 왕현철 교수 031-650-7266 / hcwang@kopo.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
반도체 단위공정 기술 기초	-반도체 단위공정개발(단위공정개발 특성/장비운영 결과 평가) -반도체 8대공정장비(공정장비 특성/제조공정 프로세스)이해 -반도체 계측(장비 특성, 표준 계측방법, 계측결과)장비운용		18시간	12명
반도체 레이아웃설게 입문과정	-반도체 레이아웃 설계		14시간	12명
반도체 패키징 입문과정	-다이 본딩 및 와이어 본딩		14시간	12명
반도체 후공정 장비운영	-반도체 전자패키징 개론 -반도체 후공정 장비 실습		24시간	15명
반도체 파이널테스트 장비운영 입문과정	-반도체 분석 및 검사 -패키지 테스트 공정의 반도체 전체 공정 적용 학습 -파이널테스트 장비에 대한 구체적 구조 및 기능 확인 정리		14시간	12명
반도체 장비 유지보수	-반도체 장비 유지보수 개론 -반도체 장비 유지보수 실습		16시간	15명
반도체 장비개발 기구설계	-반도체 제조공정 -반도체장비 개발이론 -반도체장비 기구설계 기초 -반도체장비 기구설계 심화 -반도체장비 부품/모듈 제작		32시간	15명
PLC 프로그래밍 실무 (기초)	-PLC 구조와 이론 -PLC 입출력제어 -PLC 프로그램 실습		14시간	12명
PLC 프로그래밍 실무 (심화)	-PLC 구조와 이론 -PLC 모터제어 실습 -PLC 특수모듈 실습		14시간	12명
반도체장비 전장 설계 (EPLAN)	-반도체장비 이해 및 주요 구조에 대한 이해 -반도체장비 주요 전장모듈 구성 이해 -반도체장비 주요 전장모듈 설계		21시간	12명
AutoCAD 활용 도면 작성 (기초)	-작업환경 준비하기 -도면 작성하기		8시간	12명
Solidworks 활용 3D 형상모델링 (기초)	-3D CAD 환경설정 -3D 모델링 하기		14시간	12명
Solidworks 활용 기계시스템설계 (고급)	-동력전달요소 파악하기 -동력전달요소 설계하기		14시간	12명

기관명		담당자
한국폴리텍대학 성남캠퍼스(성남시)		반도체공정과 김도균 교수 031-739-4079 / kdky1@kopo.ac.kr
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
설계 – 아날로그 설계	집적회로 설계 및 반도체 개발 과정 소개와 이해 집적회로 설계 기초이론 linux 및 vi editor 실습 virtuoso 실행 및 기본 조작 실습 기본 primitive cell(inverter, nand, nor) 회로 설계 실습(schematic, simulation, symbol, layout, DRC, LVS 검증 등) 완성된 primitive cell을 이용한 2x4 decoder 회로 설계 실습 (schematic, simulation, symbol, layout, DRC, LVS 검증 등)		28시간	15명
설계 – 디지털 설계	Linux를 활용한 파일관리와 EDA 활용 RTL 설계(Verilog-HDL을 활용한 시스템 반도체 설계) FPGA와 Arduino SPI를 통한 모터 제어 GATE Level 합성(library setup, elaborate, synthesis, sdf, sdc 등) P&R(Import Design, Floor Plan, Power Plan, Placement, CTS & Route, Filler Insert & Verify) 기타 : scan-chain, Power analysis, Routing Congestion, Placement density 등		21시간	15명
설계 – ARM Cortex-M4 임베디드 시스템 설계	ARM Cortex-M4 아키텍처 이해 임베디드 시스템 개발 환경 구축 및 컴파일러의 이해 ARM Cortex-M4 주변 장치 제어(GPIO, UART, I2C, SPI, ADC, DAC, 타이머, PWM 등) 저전력 시스템 설계(Sleep 모드, Stop 모드, Standby 모드 활용) 임베디드 시스템 통합 설계(센서 모듈 연동, 액츄에이터 제어, 인터럽트 기반 이벤트 처리, 실시간 데이터 수집 등) 실시간 운영체제(RTOS) 기초(FreeRTOS 구조 이해 등)		35시간	15명
설계 – AI 반도체 이론 및 실습 프로그램	AI 반도체 이론 및 개요 라즈베리파이5 하드웨어 이해 및 개발 환경 구축 라즈베리파이 주변 장치 제어(GPIO, UART, I2C, SPI 등) 카메라 활용 및 OpenCV 활용 AI 모델 실행 구조 실습(Edge AI 기초) AI 모델 경량화 및 최적화 실습(TensorFlow, YOLO 등) NPU 연동 실습(Hailo, DeepX NPU 등) AIoT 연계 프로젝트		35시간	15명
설계 – PCB 설계
설계 – 반도체 센서	이온 선택 트랜지스터를 이용한 센서 설계 및 구현 환원 그래핀 옥사이드 (Reduced graphene oxide)의 패터닝 및 설계 센서 감도 향상 설계 ADC(아날로그-디지털 컨버터) 및 증폭기 설계 아두이노를 이용한 신호 취합 및 데이터 취합		21시간	15명
공정 – 전공정 기초	-NMOS fabrication process review -Oxidation 이론, 실습 -Deposition 이론, 실습 -Photolithography 이론, 실습 -Metalization 이론, 실습 -측정장비 이론, 실습(SEM, UV-Vis inspection, GC, AFM, ellipsometer, Hall effect measurement)		21시간	15명
공정 – 단위공정 심화 과정(Photolithography)	-Photolithography 심화 이론 -Photolithography 실습(PR thickness 최적화, 세부 조건 split에 따른 PR pattern의 형태 분석) -PR coating (RPM split) -Bake temperature split -Exposure time split -Develop time split		21시간	15명
공정 – 단위공정 심화 과정(Sputter)	-Sputter 심화 이론 및 장비 구조 review -Sputter 심화 실습(Power 세기 및 process pressure에 따른 박막 분석) -세부 조건에 따른 이동도, 농도, 전도성 trend 분석 -세부 조건에 따른 표면 trend 분석 -세부 조건에 따른 두께 trend 분석		21시간	15명
소자개발 – InZnO TFT소자 제작 및 분석	-MOSFET 이론 및 실습 split논의 -Cleaning, sputter, metal evaporation을 통한 소자 제작 -열처리공정 실습 -I-V측정을 통한 제작된 소자의 분석 -C-V측정을 통한 제작된 소자의 전자이동도 분석 -Split한 조건에 따른 소자의 key parameter 결과 trend분석 (threshold voltage, transconductance, off-state drain current, maxium drain current, subthreshold swing, effective mobility, low-field mobility, field-effect mobility)		35시간	10명
공정- 후공정 기초 이론	반도체 패키징 개념 및 주요 기술 이론(BGA, WLP) Wire bonding, flip-chip, encapsulation 이론 및 실습 본더테스터 및 유테틱 다이본더 장비를 활용한 실습 Wafer 및 PKG Test 주요 원리 PKG 신뢰성 평가 및 분석 불량 분석		21시간	15명
공정 – 단위공정 심화 과정 (Assembly공정)	Die Attach, Wire bonding, Molding 실습계획 수립 Wire bonding 실습 (공정 조건별 시료 활용) molding 실습 (경화 시간 도출 등)		21시간	15명
공정 – 단위공정 심화 과정 (Test&Inspection공정)	외관 검사 실습 (현미경, 3D측정기 등) 내부 구조 결함 Test 실습 (P/S, 초음파 검사기) 전기적 테스트 레이저마킹&Decap 후 defect 검사 실습 (SEM)		21시간	15명
공정 – 단위공정 심화 과정 (신뢰성&품질관리공정)	Thermal Cycling & 고온/고습 Test 이론 및 실습 열화상 내부검사 실습 레이저마킹&Decap 후 defect 검사 실습 (SEM)		21시간	15명
장비-반도체 장비 설계	-2D 및 3D CAD 이론 및 실습 -반도체 기구 설계 이론 및 실습 -반도체 진공챔버 및 구동 실습 -반도체 장비 Preventive Maintanance 이론 및 실습 -기계장비 불량 분석 이론 및 실습 반도체 장비 해석 및 시뮬레이션		21시간	15명
자동화-PLC를 활용한 자동화시스템 교육	PLC 구조 및 제어 PLC를 활용한 구동 모터 제어 및 공압 제어 시스템 실습 PLC 제어를 활용한 프로젝트 실습		35시간	15명

기관명		문의처
ENT(수원시)		서현주 부장 031-241-5057 / hyunjuseo@entfa.com
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
반도체 불량 분석	-외관 분석 : External inspection -전기적 분석 : I/V curve 측정, LCR 측정 -물리적 분석(비파괴/파괴) : Cross section, De-capsulation, De-layer, EMMI(Photon, Ternal, OBIRCH), X-ray(2D, 3D), SEM/EDS -불량 원인 분석 -분석 프로세스 컨설팅		협의	협의

기관명		문의처
SPT Solution(수원시)		김용식 대표 ys.kim@solutionspt.by-works.com
과정명	주요내용		훈련 시간	교육 정원
반도체 패키징 이론 교육 1	-Conventional Package 개론		4시간	16명 (이상)
반도체 패키징 이론 교육 2	-Advanced Package 개론 -Bumping, Flip chip 패키징 및 Advanced package 공정별 동향 소개		4시간
반도체 패키징 실습 (Conventional Package)	-W/M. Dicing Saw, UV조사 -Plasma 표면 개질 처리 -Solder Process (Flux, Solder-Attach, Reflow, Cleaning) -Au Wire Bonding & Au Stud bump		16~24시간	16명
반도체 패키징 실습 (Advanced Package)	-Flip chip bonding Technology (Cu pillar bump를 적용한 TCB & Mass Reflow 방식) (Au-Sn Eutectic bonding 방식) -디스펜서 공정을 활용한 Under-Fill 공정 실습 -진공라미네이터 공정을 활용한 NCF Laminate 공정 실습 -진공인쇄 공정을 활용한 MUF(Mold Under-Fill) 공정 실습 -ACF 공정을 활용한 TCB 공정 실습		24시간
실장 분석 실습	-파괴검사 -몰딩 & 단면분석		8시간
기판 설계 및 제작업체 견학 (TEG기판, 인터포저기판)	-Auto CAD를 활용한 TEG기판, 인터포저기판 설계 -기판 제작 업체 견학을 통한 기판 제작 Flow 이해		16시간	5명 (협의)